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射频芯片：工作在射频频段的芯片，实现信号的滤波、放大、射频转换、调制/解调等功能，通常包含低噪声放大器、功率放大器等。
国博电子射频芯片主要包括射频放大类芯片、射频控制类芯片，广泛应用于移动通信基站等通信系统，并逐步拓展至终端领域。
低噪声放大器
低噪声放大器采用0.15μm、0.25μm或0.5μm的GaAs pHEMT工艺，具有噪声低、增益高等特点。在通信系统中用于将接收自天线的信号放大，以便于后级的电子设备处理。广泛应用于4G、5G通信系统基站、微基站、移动终端及无线接入等设备中。
功率放大器
功率放大器采用高性能InGaP/GaAs异质结双极性晶体管工艺，满足了用户在DC~6.0GHz范围内，不同增益、输出功率、以及电流的要求。主要用于将调制振荡电路所产生的射频信号功率放大后输出到天线上辐射出去。广泛应用于4G、5G通信系统基站、微基站、移动终端及无线接入等设备中。
开关
开关产品包括多种制式开关(nPnT)，可覆盖DC~6.0GHz。其中射频开关采用SOI、GaAs工艺，主要用于通信系统中多通道、多制式或者收发之间的信道切换，具有插入损耗低、隔离度高、可靠性高等特点。大功率开关采用Si基PIN工艺，主要用于大功率射频信号通路的导通和截止控制，具有大功率信号通路切换和保护小功率器件免于损伤损毁的功能。开关产品广泛应用于4G、5G通信系统基站、微基站、移动终端及无线接入等设备中。
数控衰减器
射频数字衰减器采用SOI、GaAs工艺，以串/并行口信号控制，在DC~6.0GHz范围内具有低功耗、低插损的特点。主要用于控制微波信号幅度，实现对信号的定量衰减。广泛应用于4G、5G通信系统基站、微基站、移动终端及无线接入等设备中。
低噪声放大器
低噪声放大器采用0.15μm、0.25μm或0.5μm的GaAs pHEMT工艺，具有噪声低、增益高等特点。在通信系统中用于将接收自天线的信号放大，以便于后级的电子设备处理。广泛应用于4G、5G通信系统基站、微基站、移动终端及无线接入等设备中。
功率放大器
功率放大器采用高性能InGaP/GaAs异质结双极性晶体管工艺，满足了用户在DC~6.0GHz范围内，不同增益、输出功率、以及电流的要求。主要用于将调制振荡电路所产生的射频信号功率放大后输出到天线上辐射出去。广泛应用于4G、5G通信系统基站、微基站、移动终端及无线接入等设备中。
开关
开关产品包括多种制式开关(nPnT)，可覆盖DC~6.0GHz。其中射频开关采用SOI、GaAs工艺，主要用于通信系统中多通道、多制式或者收发之间的信道切换，具有插入损耗低、隔离度高、可靠性高等特点。大功率开关采用Si基PIN工艺，主要用于大功率射频信号通路的导通和截止控制，具有大功率信号通路切换和保护小功率器件免于损伤损毁的功能。开关产品广泛应用于4G、5G通信系统基站、微基站、移动终端及无线接入等设备中。
数控衰减器
射频数字衰减器采用SOI、GaAs工艺，以串/并行口信号控制，在DC~6.0GHz范围内具有低功耗、低插损的特点。主要用于控制微波信号幅度，实现对信号的定量衰减。广泛应用于4G、5G通信系统基站、微基站、移动终端及无线接入等设备中。